第319期东方科技论坛“集成电路新器件技术”学术研讨会于2018年11月13日—14日在上海沪杏科技图书馆举行。本期研讨会由复旦大学承办，国家科技重大专项技术副总师、国家集成电路创新中心总经理、复旦大学微电子学院执行院长张卫教授担任会议执行主席，来自全国知名高校、研究所和企业的20多位专家学者参加了本次论坛。
集成电路是信息产业发展的核心和关键。集成电路发明60年来，技术创新的脚步从来没有停歇过，从上个世纪90年代末的铜互连技术，到2007年45nmCPU出现的高k栅介质/金属栅工艺，再到2014年Intel在22nm技术上率先采用的鳍型晶体管，可以说新器件、新工艺、新材料不断涌现。然而，当集成电路技术节点演进到5nm技术时，又将面临着新的挑战和机遇，新器件的突破将会带来革命性的变化。能否抓住新的创新发展机遇必将是下一代集成电路技术竞争的关键。
我国集成电路技术水平目前与国际最先进技术相比仍落后约1.5—2代。近年我国进口集成电路均超过2000亿美元，居大宗产品进口之首。集成电路的核心与基础是肖克利、巴丁和布拉顿三位诺贝尔奖获得者1947年发明的MOS晶体管器件。随后，浮栅晶体管的出现成就了今天300亿美元的闪存芯片市场，FinFET器件更是推动集成电路技术进入16nm技术节点。在集成电路技术重大革新和革命性进步的背后，都能够找到其创新核心器件的巨大作用，缺少集成电路器件的原始创新严重制约了我国集成电路产业的发展。研发面向未来的集成电路器件是提升我国集成电路原始创新能力，实现产业跨越发展的必要支撑。
同时，为深入贯彻习近平总书记对上海提出的“加快向具有全球影响力的科技创新中心进军”要求，全面落实党中央、国务院《关于深化体制机制改革加快实施创新驱动发展战略的若干意见》，2015年上海市委规划了一号课题《大力实施创新驱动发展战略加快建设具有全球影响力的科技创新中心》，其中提出上海建设具有全球影响力的科技创新中心的总体思路和重大任务举措，大力推进实施创新驱动发展战略，进一步激发全社会创新活力和动力，促进经济转型升级。一号课题中明确提到要“聚焦微电子、生物医药、高端装备制造、新材料等重点领域，在高校建设若干个国际一流水平的标志性学科”。
为交流我国在微电子新器件上的最新研究成果，探讨未来技术发展趋势，促进年轻科技人才的成长，促进学科交叉融合，共同推动集成电路学科的发展，复旦大学组织了本次东方论坛。在本次论坛上，来自中科院微电子所、中科院上海微系统所、北京大学、西安电子科技大学、复旦大学等单位的专家报告了他们在微电子新器件新工艺上的最新成果。可以欣喜地看到，我国科学家在微电子某些前沿研究上，比如半浮栅晶体管、堆叠型纳米线晶体管、负电容晶体管、黑磷晶体管，以及器件异质集成技术等方面都取得了非常优秀的成果。本次论坛主要围绕集成电路创新发展模式思考、纳米环栅器件、新型存储器，以及后摩尔时代的新原理新器件技术等中心议题展开讨论。
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